SI7703EDN datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI7703EDN  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.048 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK-1212-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI7703EDN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7703EDN даташит

 ..1. Size:570K  vishay
 si7703edn.pdf pdf_icon

SI7703EDN

Si7703EDN Vishay Siliconix Single P-Channel 20 V (D-S) MOSFET With Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETS 1.8 V Rated VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) ESD Protected 4500 V Ultra-Low Thermal Resistance, PowerPAK 0.048 at VGS = - 4.5 V - 6.3 Package with Low 1.07 mm Profile 0.068 at VGS = - 2.5 V - 20 - 5.3 Material categorization 0

 9.1. Size:96K  vishay
 si7705dn.pdf pdf_icon

SI7703EDN

Si7705DN Vishay Siliconix Single P-Channel 20-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES MOSFET PRODUCT SUMMARY Halogen-free Option Available VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) TrenchFET Power MOSFETS 1.8 V Rated 0.048 at VGS = - 4.5 V - 6.3 Ultra-Low Thermal Resistance, PowerPAK RoHS COMPLIANT Package with Low 1.07 mm Profile 0.068 at VGS = - 2.5 V - 20 - 5.3 0.

Другие IGBT... SI7655ADN, SI7655DN, SI7658ADP, SI7664DP, SI7668ADP, SI7674DP, SI7682DP, SI7686DP, IRF9540, SI7716ADN, SI7718DN, SI7720DN, SI7726DN, SI7738DP, SI7742DP, SI7748DP, SI7758DP