SI7720DN datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SI7720DN  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 310 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0125 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK-1212-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для SI7720DN

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7720DN даташит

 ..1. Size:549K  vishay
 si7720dn.pdf pdf_icon

SI7720DN

Si7720DN Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)e Qg (Typ.) SkyFET Monolithic TrenchFET Power 0.0125 at VGS = 10 V 12 MOSFET and Schottky Diode 30 13.7 nC RoHS 0.015 at VGS = 4.5 V 12 COMPLIANT Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Small Size and Low 1.07

 9.1. Size:561K  vishay
 si7726dn.pdf pdf_icon

SI7720DN

Si7726DN Vishay Siliconix N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)e Qg (Typ.) SkyFET Monolithic TrenchFET Power RoHS 0.0095 at VGS = 10 V 35 MOSFET and Schottky Diode COMPLIANT 30 12.5 nC 0.0125 at VGS = 4.5 V 35 Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Small Size and Low 1.07

Другие IGBT... SI7664DP, SI7668ADP, SI7674DP, SI7682DP, SI7686DP, SI7703EDN, SI7716ADN, SI7718DN, IRFP250N, SI7726DN, SI7738DP, SI7742DP, SI7748DP, SI7758DP, SI7772DP, SI7774DP, SI7784DP