SI7748DP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: SI7748DP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 575 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0048 Ohm
Тип корпуса: POWERPAK-SO-8
Аналог (замена) для SI7748DP
SI7748DP Datasheet (PDF)
si7748dp.pdf

New ProductSi7748DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) SkyFET Monolithic TrenchFET RoHS0.0048 at VGS = 10 V 50Power MOSFET and Schottky DiodeCOMPLIANT 30 27.8 nC0.0066 at VGS = 4.5 V 50 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedPowerPAK SO-8
si7742dp.pdf

Si7742DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0035 at VGS = 10 V 60 SkyFET Monolithic TrenchFET 30 34 nC0.0045 at VGS = 4.5 V Power MOSFET and Schottky Diode60 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedPowerPAK
Другие MOSFET... SI7686DP , SI7703EDN , SI7716ADN , SI7718DN , SI7720DN , SI7726DN , SI7738DP , SI7742DP , SKD502T , SI7758DP , SI7772DP , SI7774DP , SI7784DP , SI7788DP , SI7790DP , SI7792DP , SI7794DP .
History: FQD1N60TM | RJK03E7DPA | MTP4835Q8 | IPZ60R040C7 | IPZ60R099C7 | 12N10G-TA3-T | PM509BA
History: FQD1N60TM | RJK03E7DPA | MTP4835Q8 | IPZ60R040C7 | IPZ60R099C7 | 12N10G-TA3-T | PM509BA



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
bc109c | d331 transistor | irfbc40 | mp16b transistor | 2sa934 | 2sd118 | 2n3403 | 2sa750