SI7748DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SI7748DP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 575 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0048 Ohm
Тип корпуса: POWERPAK-SO-8
Аналог (замена) для SI7748DP
SI7748DP Datasheet (PDF)
si7748dp.pdf

New ProductSi7748DPVishay SiliconixN-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) SkyFET Monolithic TrenchFET RoHS0.0048 at VGS = 10 V 50Power MOSFET and Schottky DiodeCOMPLIANT 30 27.8 nC0.0066 at VGS = 4.5 V 50 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedPowerPAK SO-8
si7742dp.pdf

Si7742DPVishay SiliconixN-Channel 30 V (D-S) MOSFET with Schottky DiodeFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0035 at VGS = 10 V 60 SkyFET Monolithic TrenchFET 30 34 nC0.0045 at VGS = 4.5 V Power MOSFET and Schottky Diode60 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedPowerPAK
Другие MOSFET... SI7686DP , SI7703EDN , SI7716ADN , SI7718DN , SI7720DN , SI7726DN , SI7738DP , SI7742DP , 12N60 , SI7758DP , SI7772DP , SI7774DP , SI7784DP , SI7788DP , SI7790DP , SI7792DP , SI7794DP .
History: SI7772DP
History: SI7772DP



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTK3005L | JMTK3005C | JMTK3005B | JMTK3005A | JMTK3004A | JMTK3003A | JMTK3002B | JMTK290N06A | JMTK2007A | JMTK2006A | JMTK170N10A | JMTK160P03A | JMTK1404A1 | JMTK130P04A | JMTK120N03A | JMTK110N06A
Popular searches
bc109c | d331 transistor | irfbc40 | mp16b transistor | 2sa934 | 2sd118 | 2n3403 | 2sa750