Справочник MOSFET. SI7846DP

 

SI7846DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI7846DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-SO-8
 

 Аналог (замена) для SI7846DP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7846DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:293K  vishay
si7846dp.pdfpdf_icon

SI7846DP

Si7846DPVishay SiliconixN-Channel 150-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.050 at VGS = 10 V 6.7150 TrenchFET Power MOSFETS New Low Thermal Resistance PowerPAKPackage with Low 1.07 mm Profile PWM Optimized for Fast Switching 100 % Rg TestedPowerPAK SO-8 APPLICA

 9.1. Size:97K  vishay
si7848dp.pdfpdf_icon

SI7846DP

Si7848DPVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETSVDS (V) rDS(on) ()ID (A)Pb-free New Low Thermal Resistance 0.009 at VGS = 10 V 17AvailablePowerPAK Package with Low 1.07-mm 40RoHS*0.012 at VGS = 4.5 V 15 ProfileCOMPLIANT PWM Optimized for Fast Switching 100 % Rg TestedPowerPAK SO-8APPLI

 9.2. Size:471K  vishay
si7848bd.pdfpdf_icon

SI7846DP

Si7848BDPVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)f Qg (Typ.)Definition0.009 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET4740 15 nC 100 % Rg and UIS Tested0.012 at VGS = 4.5 V 40 Compliant to RoHS directive 2002/95/ECPowerPAK SO-8APPLICATIONS DC/DC Con

 9.3. Size:474K  vishay
si7848bdp.pdfpdf_icon

SI7846DP

Si7848BDPVishay SiliconixN-Channel 40-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)f Qg (Typ.)Definition0.009 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET4740 15 nC 100 % Rg and UIS Tested0.012 at VGS = 4.5 V 40 Compliant to RoHS directive 2002/95/ECPowerPAK SO-8APPLICATIONS DC/DC Con

Другие MOSFET... SI7802DN , SI7804DN , SI7806ADN , SI7810DN , SI7812DN , SI7818DN , SI7820DN , SI7840BDP , AON7506 , SI7848BDP , SI7848DP , SI7850DP , SI7852ADP , SI7852DP , SI7856ADP , SI7858ADP , SI7858BDP .

History: 2N4861A | HGI090NE6A | SQ2337ES | AON7518 | 2SK346 | MTP2N90 | AP6901GSM-HF

 

 
Back to Top

 


 
.