SI7852DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: SI7852DP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.6 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 11 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0165 Ohm
Тип корпуса: POWERPAK-SO-8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
SI7852DP Datasheet (PDF)
si7852dp.pdf

Si7852DPVishay SiliconixN-Channel 80-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.0165 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFETS12.580 New Low Thermal Resistance PowerPAK0.022 at VGS = 6 V 10.9Package with Low 1.07 mm Profile PWM Optimized for Fast Switching 100 % Rg Tested
si7852ad.pdf

Si7852ADPVishay SiliconixN-Channel 80-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.017 at VGS = 10 V 30 TrenchFET Power MOSFET80 30.50.021 at VGS = 8 V 30 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedPowerPAK SO-8APPLICATIONSS6.15 mm 5.15 mmD1 Primary Side Sw
si7852adp.pdf

Si7852ADPVishay SiliconixN-Channel 80-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.017 at VGS = 10 V 30 TrenchFET Power MOSFET80 30.50.021 at VGS = 8 V 30 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedPowerPAK SO-8APPLICATIONSS6.15 mm 5.15 mmD1 Primary Side Sw
si7850dp.pdf

Si7850DPVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.022 at VGS = 10 V 10.3 TrenchFET Power MOSFETs600.031 at VGS = 4.5 V 8.7 New Low Thermal Resistance PowerPAKPackage with Low 1.07 mm Profile PWM Optimized for Fast Switching
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: SE4060 | ZXMN0545G4 | IPA600N25NM3S
History: SE4060 | ZXMN0545G4 | IPA600N25NM3S



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
bd140 transistor equivalent | tip122 transistor equivalent | irfz44n equivalent | 2n2923 | 2n2102 | mj15003g | oc75 transistor | irfp260m