SI7852DP. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SI7852DP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0165 Ohm
Тип корпуса: POWERPAK-SO-8
Аналог (замена) для SI7852DP
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SI7852DP даташит
si7852dp.pdf
Si7852DP Vishay Siliconix N-Channel 80-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.0165 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFETS 12.5 80 New Low Thermal Resistance PowerPAK 0.022 at VGS = 6 V 10.9 Package with Low 1.07 mm Profile PWM Optimized for Fast Switching 100 % Rg Tested
si7852ad.pdf
Si7852ADP Vishay Siliconix N-Channel 80-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.017 at VGS = 10 V 30 TrenchFET Power MOSFET 80 30.5 0.021 at VGS = 8 V 30 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested PowerPAK SO-8 APPLICATIONS S 6.15 mm 5.15 mm D 1 Primary Side Sw
si7852adp.pdf
Si7852ADP Vishay Siliconix N-Channel 80-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.017 at VGS = 10 V 30 TrenchFET Power MOSFET 80 30.5 0.021 at VGS = 8 V 30 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested PowerPAK SO-8 APPLICATIONS S 6.15 mm 5.15 mm D 1 Primary Side Sw
si7850dp.pdf
Si7850DP Vishay Siliconix N-Channel 60-V (D-S) Fast Switching MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) Available 0.022 at VGS = 10 V 10.3 TrenchFET Power MOSFETs 60 0.031 at VGS = 4.5 V 8.7 New Low Thermal Resistance PowerPAK Package with Low 1.07 mm Profile PWM Optimized for Fast Switching
Другие IGBT... SI7818DN, SI7820DN, SI7840BDP, SI7846DP, SI7848BDP, SI7848DP, SI7850DP, SI7852ADP, AON7506, SI7856ADP, SI7858ADP, SI7858BDP, SI7860ADP, SI7860DP, SI7862ADP, SI7866ADP, SI7868ADP
History: BRCS040N03DP
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUP060N055 | AUP056N10 | AUP056N08BGL | AUP052N085 | AUP045N12 | AUP039N10 | AUP034N10 | AUP034N06 | AUP033N08BG | AUP026N085 | AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10
Popular searches
bd140 transistor equivalent | tip122 transistor equivalent | irfz44n equivalent | 2n2923 | 2n2102 | mj15003g | oc75 transistor | irfp260m








