Справочник MOSFET. SI7852DP

 

SI7852DP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI7852DP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0165 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-SO-8
 

 Аналог (замена) для SI7852DP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7852DP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:469K  vishay
si7852dp.pdfpdf_icon

SI7852DP

Si7852DPVishay SiliconixN-Channel 80-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.0165 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFETS12.580 New Low Thermal Resistance PowerPAK0.022 at VGS = 6 V 10.9Package with Low 1.07 mm Profile PWM Optimized for Fast Switching 100 % Rg Tested

 8.1. Size:482K  vishay
si7852ad.pdfpdf_icon

SI7852DP

Si7852ADPVishay SiliconixN-Channel 80-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.017 at VGS = 10 V 30 TrenchFET Power MOSFET80 30.50.021 at VGS = 8 V 30 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedPowerPAK SO-8APPLICATIONSS6.15 mm 5.15 mmD1 Primary Side Sw

 8.2. Size:485K  vishay
si7852adp.pdfpdf_icon

SI7852DP

Si7852ADPVishay SiliconixN-Channel 80-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Available0.017 at VGS = 10 V 30 TrenchFET Power MOSFET80 30.50.021 at VGS = 8 V 30 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedPowerPAK SO-8APPLICATIONSS6.15 mm 5.15 mmD1 Primary Side Sw

 9.1. Size:311K  vishay
si7850dp.pdfpdf_icon

SI7852DP

Si7850DPVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.022 at VGS = 10 V 10.3 TrenchFET Power MOSFETs600.031 at VGS = 4.5 V 8.7 New Low Thermal Resistance PowerPAKPackage with Low 1.07 mm Profile PWM Optimized for Fast Switching

Другие MOSFET... SI7818DN , SI7820DN , SI7840BDP , SI7846DP , SI7848BDP , SI7848DP , SI7850DP , SI7852ADP , IRFP250 , SI7856ADP , SI7858ADP , SI7858BDP , SI7860ADP , SI7860DP , SI7862ADP , SI7866ADP , SI7868ADP .

History: AP75T10GP | P5015BD | 2SK655 | PM516BZ | HGP130N12SL | NCEP40P65QU

 

 
Back to Top

 


 
.