Справочник MOSFET. SI7858ADP

 

SI7858ADP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI7858ADP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2680 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0026 Ohm
   Тип корпуса: POWERPAK-SO-8
 

 Аналог (замена) для SI7858ADP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7858ADP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:482K  vishay
si7858adp.pdfpdf_icon

SI7858ADP

Si7858ADPVishay SiliconixN-Channel 12-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free availableVDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFETRoHS0.0026 at VGS = 4.5 V 29 New Low Thermal Resistance PowerPAK COMPLIANT12 540.0037 at VGS = 2.5 V 23Package with Low 1.07 mm Profile 100 % Rg Tested PowerPAK SO-8 APPLICATIONS

 8.1. Size:512K  vishay
si7858bdp.pdfpdf_icon

SI7858ADP

New ProductSi7858BDPVishay SiliconixN-Channel 12 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.)Definition0.0025 at VGS = 4.5 V 40 TrenchFET Power MOSFET12 0.0030 at VGS = 2.5 V 40 56 nC 100 % Rg Tested0.0037 at VGS = 1.8 V 40 100 % UIS Tested Compliant to RoHS Directive 200

 9.1. Size:311K  vishay
si7850dp.pdfpdf_icon

SI7858ADP

Si7850DPVishay SiliconixN-Channel 60-V (D-S) Fast Switching MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.022 at VGS = 10 V 10.3 TrenchFET Power MOSFETs600.031 at VGS = 4.5 V 8.7 New Low Thermal Resistance PowerPAKPackage with Low 1.07 mm Profile PWM Optimized for Fast Switching

 9.2. Size:469K  vishay
si7852dp.pdfpdf_icon

SI7858ADP

Si7852DPVishay SiliconixN-Channel 80-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Available0.0165 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFETS12.580 New Low Thermal Resistance PowerPAK0.022 at VGS = 6 V 10.9Package with Low 1.07 mm Profile PWM Optimized for Fast Switching 100 % Rg Tested

Другие MOSFET... SI7840BDP , SI7846DP , SI7848BDP , SI7848DP , SI7850DP , SI7852ADP , SI7852DP , SI7856ADP , IRF1407 , SI7858BDP , SI7860ADP , SI7860DP , SI7862ADP , SI7866ADP , SI7868ADP , SI7880ADP , SI7882DP .

History: HGN093N12S | FQPF5N50CYDTU | IRFS9N60APBF

 

 
Back to Top

 


 
.