SI7960DP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI7960DP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK-SO-8

Аналог (замена) для SI7960DP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7960DP даташит

 ..1. Size:518K  vishay
 si7960dp.pdf pdf_icon

SI7960DP

 9.1. Size:86K  vishay
 si7962dp.pdf pdf_icon

SI7960DP

 9.2. Size:465K  vishay
 si7964dp.pdf pdf_icon

SI7960DP

Другие IGBT... SI7923DN, SI7938DP, SI7942DP, SI7945DP, SI7946ADP, SI7946DP, SI7949DP, SI7956DP, IRF1405, SI7980DP, SI7994DP, SI7997DP, SI7998DP, SI8100DB, SI8401DB, SI8402DB, SI8404DB