SI7997DP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI7997DP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 615 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm

Тип корпуса: POWERPAK-SO-8

Аналог (замена) для SI7997DP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI7997DP даташит

 ..1. Size:479K  vishay
 si7997dp.pdf pdf_icon

SI7997DP

 9.1. Size:509K  vishay
 si7998dp.pdf pdf_icon

SI7997DP

 9.2. Size:511K  vishay
 si7994dp.pdf pdf_icon

SI7997DP

Другие IGBT... SI7945DP, SI7946ADP, SI7946DP, SI7949DP, SI7956DP, SI7960DP, SI7980DP, SI7994DP, IRFZ46N, SI7998DP, SI8100DB, SI8401DB, SI8402DB, SI8404DB, SI8405DB, SI8406DB, SI8407DB