SI8401DB. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: SI8401DB
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.47 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
Тип корпуса: MICRO-FOOT
Аналог (замена) для SI8401DB
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
SI8401DB даташит
Другие IGBT... SI7949DP, SI7956DP, SI7960DP, SI7980DP, SI7994DP, SI7997DP, SI7998DP, SI8100DB, IRF9640, SI8402DB, SI8404DB, SI8405DB, SI8406DB, SI8407DB, SI8409DB, SI8410DB, SI8413DB
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUP060N055 | AUP056N10 | AUP056N08BGL | AUP052N085 | AUP045N12 | AUP039N10 | AUP034N10 | AUP034N06 | AUP033N08BG | AUP026N085 | AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10
Popular searches
d669a transistor | 2sc1419 | 2sc1124 | 2n408 | 2sc2690 | d718 datasheet | mp38 transistor | 2sc2389







