SI8401DB. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI8401DB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.47 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm

Тип корпуса: MICRO-FOOT

Аналог (замена) для SI8401DB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI8401DB даташит

 ..1. Size:199K  vishay
si8401db.pdfpdf_icon

SI8401DB

 9.1. Size:214K  vishay
si8409db.pdfpdf_icon

SI8401DB

 9.2. Size:199K  vishay
si8405db.pdfpdf_icon

SI8401DB

 9.3. Size:145K  vishay
si8406db.pdfpdf_icon

SI8401DB

Другие IGBT... SI7949DP, SI7956DP, SI7960DP, SI7980DP, SI7994DP, SI7997DP, SI7998DP, SI8100DB, IRF9640, SI8402DB, SI8404DB, SI8405DB, SI8406DB, SI8407DB, SI8409DB, SI8410DB, SI8413DB