Справочник MOSFET. SI8410DB

 

SI8410DB Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI8410DB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.78 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.037 Ohm
   Тип корпуса: MICRO-FOOT-1X1
 

 Аналог (замена) для SI8410DB

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI8410DB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:137K  vishay
si8410db.pdfpdf_icon

SI8410DB

 9.1. Size:200K  vishay
si8417db.pdfpdf_icon

SI8410DB

 9.2. Size:213K  vishay
si8415db.pdfpdf_icon

SI8410DB

 9.3. Size:213K  vishay
si8413db.pdfpdf_icon

SI8410DB

Другие MOSFET... SI8100DB , SI8401DB , SI8402DB , SI8404DB , SI8405DB , SI8406DB , SI8407DB , SI8409DB , HY1906P , SI8413DB , SI8415DB , SI8416DB , SI8417DB , SI8424CDB , SI8424DB , SI8425DB , SI8429DB .

 

 
Back to Top

 


 
.