SI8416DB MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: SI8416DB
Маркировка: 8416
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.77 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 8 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 5 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.8 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.3 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 15 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 580 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
Тип корпуса: MICRO-FOOT
SI8416DB Datasheet (PDF)
Другие MOSFET... SI8404DB , SI8405DB , SI8406DB , SI8407DB , SI8409DB , SI8410DB , SI8413DB , SI8415DB , IRF9640 , SI8417DB , SI8424CDB , SI8424DB , SI8425DB , SI8429DB , SI8435DB , SI8439DB , SI8441DB .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918