SI8416DB. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI8416DB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.77 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 8 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 5 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 580 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm

Тип корпуса: MICRO-FOOT

Аналог (замена) для SI8416DB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI8416DB даташит

 ..1. Size:136K  vishay
 si8416db.pdf pdf_icon

SI8416DB

 9.1. Size:200K  vishay
 si8417db.pdf pdf_icon

SI8416DB

 9.2. Size:213K  vishay
 si8415db.pdf pdf_icon

SI8416DB

 9.3. Size:213K  vishay
 si8413db.pdf pdf_icon

SI8416DB

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SI8404DB, SI8405DB, SI8406DB, SI8407DB, SI8409DB, SI8410DB, SI8413DB, SI8415DB, IRFP064N, SI8417DB, SI8424CDB, SI8424DB, SI8425DB, SI8429DB, SI8435DB, SI8439DB, SI8441DB