SI8425DB MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: SI8425DB
   Маркировка: 8425
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 10 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 0.9 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm
   Тип корпуса: MICRO-FOOT

Другие MOSFET... SI8409DB , SI8410DB , SI8413DB , SI8415DB , SI8416DB , SI8417DB , SI8424CDB , SI8424DB , IRF3205 , SI8429DB , SI8435DB , SI8439DB , SI8441DB , SI8445DB , SI8447DB , SI8451DB , SI8457DB .