SI8425DB. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI8425DB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 10 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 370 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.023 Ohm

Тип корпуса: MICRO-FOOT

Аналог (замена) для SI8425DB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI8425DB даташит

 ..1. Size:241K  vishay
 si8425db.pdf pdf_icon

SI8425DB

 9.1. Size:100K  vishay
 si8422db.pdf pdf_icon

SI8425DB

 9.2. Size:327K  vishay
 si8424db.pdf pdf_icon

SI8425DB

 9.3. Size:201K  vishay
 si8429db.pdf pdf_icon

SI8425DB

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SI8409DB, SI8410DB, SI8413DB, SI8415DB, SI8416DB, SI8417DB, SI8424CDB, SI8424DB, IRF3205, SI8429DB, SI8435DB, SI8439DB, SI8441DB, SI8445DB, SI8447DB, SI8451DB, SI8457DB