SI8465DB. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI8465DB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.78 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.104 Ohm

Тип корпуса: MICRO-FOOT

Аналог (замена) для SI8465DB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI8465DB даташит

 ..1. Size:115K  vishay
 si8465db.pdf pdf_icon

SI8465DB

 9.1. Size:101K  vishay
 si8469db.pdf pdf_icon

SI8465DB

 9.2. Size:136K  vishay
 si8466edb.pdf pdf_icon

SI8465DB

 9.3. Size:126K  vishay
 si8461db.pdf pdf_icon

SI8465DB

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SI8435DB, SI8439DB, SI8441DB, SI8445DB, SI8447DB, SI8451DB, SI8457DB, SI8461DB, IRF1404, SI8466EDB, SI8467DB, SI8469DB, SI8472DB, SI8473EDB, SI8475EDB, SI8483DB, SI8487DB