SI8469DB. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI8469DB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.78 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 8 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 5 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 22 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 315 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.064 Ohm

Тип корпуса: MICRO-FOOT

Аналог (замена) для SI8469DB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI8469DB даташит

 ..1. Size:101K  vishay
 si8469db.pdf pdf_icon

SI8469DB

 9.1. Size:115K  vishay
 si8465db.pdf pdf_icon

SI8469DB

 9.2. Size:136K  vishay
 si8466edb.pdf pdf_icon

SI8469DB

 9.3. Size:126K  vishay
 si8461db.pdf pdf_icon

SI8469DB

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SI8445DB, SI8447DB, SI8451DB, SI8457DB, SI8461DB, SI8465DB, SI8466EDB, SI8467DB, IRF640N, SI8472DB, SI8473EDB, SI8475EDB, SI8483DB, SI8487DB, SI8489EDB, SI8497DB, SI8499DB