SI8475EDB. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI8475EDB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.032 Ohm

Тип корпуса: MICRO-FOOT

Аналог (замена) для SI8475EDB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI8475EDB даташит

 ..1. Size:221K  vishay
 si8475edb.pdf pdf_icon

SI8475EDB

 9.1. Size:125K  vishay
 si8472db.pdf pdf_icon

SI8475EDB

 9.2. Size:217K  vishay
 si8473ed.pdf pdf_icon

SI8475EDB

 9.3. Size:221K  vishay
 si8473edb.pdf pdf_icon

SI8475EDB

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SI8457DB, SI8461DB, SI8465DB, SI8466EDB, SI8467DB, SI8469DB, SI8472DB, SI8473EDB, IRFB4227, SI8483DB, SI8487DB, SI8489EDB, SI8497DB, SI8499DB, SI8800EDB, SI8802DB, SI8805EDB