Справочник MOSFET. SI8489EDB

 

SI8489EDB Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI8489EDB
   Маркировка: 8489
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.78 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 125 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.044 Ohm
   Тип корпуса: MICRO-FOOT
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SI8489EDB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:136K  vishay
si8489edb.pdfpdf_icon

SI8489EDB

 9.1. Size:237K  vishay
si8487db.pdfpdf_icon

SI8489EDB

 9.2. Size:129K  vishay
si8483db.pdfpdf_icon

SI8489EDB

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SDF230JAB | SIR422DP-T1-GE3 | MTP2P50E | IRF3315LPBF | NDUL03N150CG

 

 
Back to Top

 


 
.