SI8497DB. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI8497DB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.77 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 121 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.053 Ohm

Тип корпуса: MICRO-FOOT

Аналог (замена) для SI8497DB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI8497DB даташит

 ..1. Size:144K  vishay
 si8497db.pdf pdf_icon

SI8497DB

 9.1. Size:128K  vishay
 si8499db.pdf pdf_icon

SI8497DB

Другие IGBT... SI8467DB, SI8469DB, SI8472DB, SI8473EDB, SI8475EDB, SI8483DB, SI8487DB, SI8489EDB, IRFB4115, SI8499DB, SI8800EDB, SI8802DB, SI8805EDB, SI8806DB, SI8808DB, SI8809EDB, SI8810