Справочник MOSFET. SI8800EDB

 

SI8800EDB MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SI8800EDB
   Маркировка: AA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 85 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: MICRO-FOOT

 Аналог (замена) для SI8800EDB

 

 

SI8800EDB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:122K  vishay
si8800edb.pdf

SI8800EDB
SI8800EDB

 6.1. Size:121K  vishay
si8800ed.pdf

SI8800EDB
SI8800EDB

 9.1. Size:139K  vishay
si8805edb.pdf

SI8800EDB
SI8800EDB

 9.2. Size:222K  vishay
si8806db.pdf

SI8800EDB
SI8800EDB

 9.3. Size:133K  vishay
si8802db.pdf

SI8800EDB
SI8800EDB

 9.4. Size:143K  vishay
si8808db.pdf

SI8800EDB
SI8800EDB

 9.5. Size:139K  vishay
si8809edb.pdf

SI8800EDB
SI8800EDB

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top