Справочник MOSFET. SI8800EDB

 

SI8800EDB Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI8800EDB
   Маркировка: AA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 85 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: MICRO-FOOT
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SI8800EDB Datasheet (PDF)

 ..1. Size:122K  vishay
si8800edb.pdfpdf_icon

SI8800EDB

 6.1. Size:121K  vishay
si8800ed.pdfpdf_icon

SI8800EDB

 9.1. Size:139K  vishay
si8805edb.pdfpdf_icon

SI8800EDB

 9.2. Size:222K  vishay
si8806db.pdfpdf_icon

SI8800EDB

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: RQ3E120AT | CEP75N06 | RU60E16R | STW12NA50 | ME7607-G | SM3425NHQA | FTK10N60P

 

 
Back to Top

 


 
.