SI8810 - описание и поиск аналогов

 

SI8810. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI8810

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 185 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: SOT-23

Аналог (замена) для SI8810

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI8810 даташит

 ..1. Size:545K  vishay
si8810.pdfpdf_icon

SI8810

 ..2. Size:523K  mcc
si8810.pdfpdf_icon

SI8810

SI8810 Features Low RDS(ON) Rugged and Reliable ESD Protected Gate Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHS N-Channel MOSFET Compliant. See Ordering Information) Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1 Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF" Maximum Ratings Operating Junction Tempera

 0.1. Size:127K  vishay
si8810edb.pdfpdf_icon

SI8810

 9.1. Size:224K  vishay
si8812db.pdfpdf_icon

SI8810

Другие IGBT... SI8497DB, SI8499DB, SI8800EDB, SI8802DB, SI8805EDB, SI8806DB, SI8808DB, SI8809EDB, AON7408, SI8810EDB, SI8812DB, SI8816EDB, SI8817DB, SI8819EDB, SI8821EDB, SI8822, SI8851EDB

 

 

 

 

↑ Back to Top
.