Справочник MOSFET. SI8810

 

SI8810 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI8810
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 185 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для SI8810

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI8810 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:545K  vishay
si8810.pdfpdf_icon

SI8810

 ..2. Size:523K  mcc
si8810.pdfpdf_icon

SI8810

SI8810Features Low RDS(ON) Rugged and Reliable ESD Protected Gate Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSN-Channel MOSFETCompliant. See Ordering Information) Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Moisture Sensitivity Level 1 Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF"Maximum Ratings Operating Junction Tempera

 0.1. Size:127K  vishay
si8810edb.pdfpdf_icon

SI8810

 9.1. Size:224K  vishay
si8812db.pdfpdf_icon

SI8810

Другие MOSFET... SI8497DB , SI8499DB , SI8800EDB , SI8802DB , SI8805EDB , SI8806DB , SI8808DB , SI8809EDB , 2N7000 , SI8810EDB , SI8812DB , SI8816EDB , SI8817DB , SI8819EDB , SI8821EDB , SI8822 , SI8851EDB .

History: 2SK2162 | VBA1310S | AO3415A | BUK9M53-60E | TSM40N03PQ56 | AS2305

 

 
Back to Top

 


 
.