SI8821EDB - описание и поиск аналогов

 

SI8821EDB. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI8821EDB

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 50 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.135 Ohm

Тип корпуса: MICRO-FOOT-0.8X0.8

Аналог (замена) для SI8821EDB

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI8821EDB даташит

 ..1. Size:134K  vishay
 si8821edb.pdf pdf_icon

SI8821EDB

 9.1. Size:153K  vishay
 si8822.pdf pdf_icon

SI8821EDB

 9.2. Size:142K  vishay
 si8823edb.pdf pdf_icon

SI8821EDB

Si8823EDB www.vishay.com Vishay Siliconix P-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES MICRO FOOT 0.8 x 0.8 S TrenchFET Gen III p-channel power MOSFET 2 2 S S Compact 0.8 mm x 0.8 mm outline area 3 3 Low 0.4 mm max. profile RDS(on) rating at VGS = -1.5 V Typical ESD protection 1900 V HBM 1 1 G G Material categorization for definitions of compliance 4

 9.3. Size:155K  vishay
 si8824edb.pdf pdf_icon

SI8821EDB

Si8824EDB www.vishay.com Vishay Siliconix N-Channel 20 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) MAX. ID (A) a Qg (TYP.) Ultra small 0.8 mm x 0.8 mm outline 0.075 at VGS = 4.5 V 2.9 Ultra thin 0.357 mm height 0.082 at VGS = 2.5 V 2.7 Typical ESD protection 2000 V (HBM) 20 0.090 at VGS = 1.8 V 2.6 2.7 nC Material categ

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SI8808DB , SI8809EDB , SI8810 , SI8810EDB , SI8812DB , SI8816EDB , SI8817DB , SI8819EDB , IRLB4132 , SI8822 , SI8851EDB , SI9407BDY , SI9410BDY , SI9424BDY , SI9424DY , SI9433BDY , SI9434BDY .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.