SI9410BDY - описание и поиск аналогов

 

SI9410BDY. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI9410BDY

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для SI9410BDY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI9410BDY даташит

 ..1. Size:245K  vishay
 si9410bdy.pdf pdf_icon

SI9410BDY

 0.1. Size:866K  cn vbsemi
 si9410bdy-t1.pdf pdf_icon

SI9410BDY

SI9410BDY-T1 www.VBsemi.tw N-Channel 20V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.012 at VGS = 10 V 12 20 6.1 nC Optimized for High-Side Synchronous 0.015 at VGS = 4.5 V 11 Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested APPLICATIONS Notebook CPU Core - High-Side Switch

 8.1. Size:42K  vishay
 si9410dy.pdf pdf_icon

SI9410BDY

 8.2. Size:1282K  kexin
 si9410dy.pdf pdf_icon

SI9410BDY

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET SI9410DY (KI9410DY) SOP-8 Features VDS (V) = 30V ID = 7 A (VGS = 10V) 1.50 0.15 RDS(ON) 30m (VGS = 10V) RDS(ON) 40m (VGS = 5V) 1 Source 5 Drain RDS(ON) 50m (VGS = 4.5V) 6 Drain 2 Source 7 Drain 3 Source 8 Drain 4 Gate Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating Unit Drain-Sou

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SI8812DB , SI8816EDB , SI8817DB , SI8819EDB , SI8821EDB , SI8822 , SI8851EDB , SI9407BDY , 4435 , SI9424BDY , SI9424DY , SI9433BDY , SI9434BDY , SI9926CDY , SI9933CDY , SI9934BDY , SI9945BDY .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.