SI9410BDY - аналоги и даташиты транзистора

 

SI9410BDY - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: SI9410BDY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SI9410BDY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI9410BDY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:245K  vishay
 si9410bdy.pdf pdf_icon

SI9410BDY

 0.1. Size:866K  cn vbsemi
 si9410bdy-t1.pdf pdf_icon

SI9410BDY

SI9410BDY-T1www.VBsemi.twN-Channel 20V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.012 at VGS = 10 V 1220 6.1 nC Optimized for High-Side Synchronous0.015 at VGS = 4.5 V 11Rectifier Operation 100 % Rg Tested 100 % UIS TestedAPPLICATIONS Notebook CPU Core- High-Side Switch

 8.1. Size:42K  vishay
 si9410dy.pdf pdf_icon

SI9410BDY

 8.2. Size:1282K  kexin
 si9410dy.pdf pdf_icon

SI9410BDY

SMD Type MOSFETN-Channel MOSFETSI9410DY (KI9410DY)SOP-8 Features VDS (V) = 30V ID = 7 A (VGS = 10V)1.50 0.15 RDS(ON) 30m (VGS = 10V) RDS(ON) 40m (VGS = 5V)1 Source 5 Drain RDS(ON) 50m (VGS = 4.5V)6 Drain2 Source7 Drain3 Source8 Drain4 Gate Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Sou

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SI8812DB , SI8816EDB , SI8817DB , SI8819EDB , SI8821EDB , SI8822 , SI8851EDB , SI9407BDY , 2SK3568 , SI9424BDY , SI9424DY , SI9433BDY , SI9434BDY , SI9926CDY , SI9933CDY , SI9934BDY , SI9945BDY .

History: RUH85350T | RUH85150R

 

 
Back to Top

 


 
.