Справочник MOSFET. SI9933CDY

 

SI9933CDY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI9933CDY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.058 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для SI9933CDY

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI9933CDY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:270K  vishay
 si9933cdy.pdf pdf_icon

SI9933CDY

 ..2. Size:915K  cn vbsemi
 si9933cdy.pdf pdf_icon

SI9933CDY

SI9933CDYwww.VBsemi.twDual P-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-freeVDS (V) RDS(on) ()ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET0.029 at VGS = - 10 V - 7.3 100 % UIS TestedRoHS- 30 17 nCCOMPLIANT0.039 at VGS = - 4.5 V - 6.3APPLICATIONS Load SwitchesS1 S2SO-8S1 1 D18G1 G2G1 2 D17S2 3 D26G2 4 D25Top Vi

 6.1. Size:268K  vishay
 si9933cd.pdf pdf_icon

SI9933CDY

 8.1. Size:97K  vishay
 si9933bdy.pdf pdf_icon

SI9933CDY

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SI8851EDB , SI9407BDY , SI9410BDY , SI9424BDY , SI9424DY , SI9433BDY , SI9434BDY , SI9926CDY , 4N60 , SI9934BDY , SI9945BDY , JCS5N50VT , JCS5N50RT , JCS5N50CT , JCS5N50FT , JCS7N65CB , JCS7N65FB .

History: SP8M70 | PSMN5R6-100PS | 2SK1074 | STF13N60M2 | SIHFD014 | SI7491DP

 

 
Back to Top

 


 
.