SI9933CDY - описание и поиск аналогов

 

SI9933CDY. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI9933CDY

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.058 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для SI9933CDY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI9933CDY даташит

 ..1. Size:270K  vishay
 si9933cdy.pdf pdf_icon

SI9933CDY

 ..2. Size:915K  cn vbsemi
 si9933cdy.pdf pdf_icon

SI9933CDY

SI9933CDY www.VBsemi.tw Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d, e Qg (Typ.) TrenchFET Power MOSFET 0.029 at VGS = - 10 V - 7.3 100 % UIS Tested RoHS - 30 17 nC COMPLIANT 0.039 at VGS = - 4.5 V - 6.3 APPLICATIONS Load Switches S1 S2 SO-8 S1 1 D1 8 G1 G2 G1 2 D1 7 S2 3 D2 6 G2 4 D2 5 Top Vi

 6.1. Size:268K  vishay
 si9933cd.pdf pdf_icon

SI9933CDY

 8.1. Size:97K  vishay
 si9933bdy.pdf pdf_icon

SI9933CDY

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SI8851EDB , SI9407BDY , SI9410BDY , SI9424BDY , SI9424DY , SI9433BDY , SI9434BDY , SI9926CDY , 12N60 , SI9934BDY , SI9945BDY , JCS5N50VT , JCS5N50RT , JCS5N50CT , JCS5N50FT , JCS7N65CB , JCS7N65FB .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.