SI9945BDY - описание и поиск аналогов

 

SI9945BDY. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: SI9945BDY

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 65 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.058 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для SI9945BDY

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SI9945BDY даташит

 ..1. Size:268K  vishay
 si9945bdy.pdf pdf_icon

SI9945BDY

 0.1. Size:947K  cn vbsemi
 si9945bdy-t1.pdf pdf_icon

SI9945BDY

SI9945BDY-T1 www.VBsemi.tw Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFET VDS (V) 60 100 % Rg and UIS tested RDS(on) ( ) at VGS = 10 V 0.040 RDS(on) ( ) at VGS = 4.5 V 0.055 ID (A) per leg 7 Configuration Dual SO-8 Dual D2 D1 D2 D2 5 D1 6 D1 7 8 G1 G2 4 G2 3 3 S1 S2 S2 S2 2 2 G G1 1 1 N-Channel MOSFET N-Cha

 6.1. Size:265K  vishay
 si9945bd.pdf pdf_icon

SI9945BDY

 8.1. Size:240K  vishay
 si9945ae.pdf pdf_icon

SI9945BDY

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SI9410BDY , SI9424BDY , SI9424DY , SI9433BDY , SI9434BDY , SI9926CDY , SI9933CDY , SI9934BDY , IRF1010E , JCS5N50VT , JCS5N50RT , JCS5N50CT , JCS5N50FT , JCS7N65CB , JCS7N65FB , MDF13N65B , AOD452A .

History: HM4N60K | KP748A

 

 

 

 

↑ Back to Top
.