Справочник MOSFET. SI9945BDY

 

SI9945BDY Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SI9945BDY
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 65 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.058 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SI9945BDY Datasheet (PDF)

 ..1. Size:268K  vishay
 si9945bdy.pdf pdf_icon

SI9945BDY

 0.1. Size:947K  cn vbsemi
 si9945bdy-t1.pdf pdf_icon

SI9945BDY

SI9945BDY-T1www.VBsemi.twDual N-Channel 60 V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) 60 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = 10 V 0.040RDS(on) () at VGS = 4.5 V 0.055ID (A) per leg 7Configuration DualSO-8 DualD2D1 D2D2 5D16D178G1 G24G233S1S2S2 S222GG111N-Channel MOSFET N-Cha

 6.1. Size:265K  vishay
 si9945bd.pdf pdf_icon

SI9945BDY

 8.1. Size:240K  vishay
 si9945ae.pdf pdf_icon

SI9945BDY

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... SI9410BDY , SI9424BDY , SI9424DY , SI9433BDY , SI9434BDY , SI9926CDY , SI9933CDY , SI9934BDY , IRFP250 , JCS5N50VT , JCS5N50RT , JCS5N50CT , JCS5N50FT , JCS7N65CB , JCS7N65FB , MDF13N65B , AOD452A .

 

 
Back to Top

 


 
.