Справочник MOSFET. CEP603AL

 

CEP603AL MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CEP603AL
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для CEP603AL

 

 

CEP603AL Datasheet (PDF)

 ..1. Size:520K  cet
 cep603al ceb603al.pdf

CEP603AL CEP603AL

 8.1. Size:82K  cet
 cep6030l ceb6030l.pdf

CEP603AL CEP603AL

CEP6030L/CEB6030LN-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorFEATURES30V, 52A,RDS(ON) = 13.5m @VGS = 10V. RDS(ON) = 20m @VGS = 4.5V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead free product is acquired.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESSTO-263(DD-PAK)TO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc

 8.2. Size:421K  cet
 cep6036 ceb6036.pdf

CEP603AL CEP603AL

CEP6036/CEB6036N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor PRELIMINARYFEATURES60V, 135A, RDS(ON) = 4.6m @VGS = 10V.Super high dense cell design for extremely low RDS(ON).High power and current handing capability.DLead-free plating ; RoHS compliant.TO-220 & TO-263 package.GCEB SERIESCEP SERIESTO-263(DD-PAK) STO-220ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Tc = 25 C unless ot

 8.3. Size:716K  ncepower
 ncep6035aqu.pdf

CEP603AL CEP603AL

http://www.ncepower.com NCEP6035AQUNCE N-Channel Super Trench Power MOSFETDescriptionThe NCEP6035AQU uses Super Trench technology that isGeneral Featuresuniquely optimized to provide the most efficient high V =60V,I =35ADS Dfrequency switching performance. Both conduction and R =10.0m (typical) @ V =10VDS(ON) GSswitching power losses are minimized due to an extremely low

 8.4. Size:322K  ncepower
 ncep6035ag.pdf

CEP603AL CEP603AL

http://www.ncepower.com NCEP6035AGNCE N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The NCEP6035AG uses Super Trench technology that is General Features uniquely optimized to provide the most efficient high VDS =60V,ID =35A frequency switching performance. Both conduction and RDS(ON)=9.8m (typical) @ VGS=10V switching power losses are minimized due to an extremely low RDS

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top