Справочник MOSFET. HY1906B

 

HY1906B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HY1906B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 188 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 96 nC
   trⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 876 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0075 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

HY1906B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:2269K  hymexa
hy1906p hy1906b.pdfpdf_icon

HY1906B

HY1906P/BN-Channel Enhancement Mode MOSFETFeatures Pin Description/ , 60V 120 A6.0 (typ.) @ VGS=10VRDS(ON)= m Avalanche Rated Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices AvailableSDG(RoHS Compliant)SDGTO-263-2LTO-263-2LTO-220FB-3LTO-220FB-3LApplicationsD Power Management for Inverter Systems.G N-Channel MOSFETSOrdering and Marking

 8.1. Size:712K  1
hy1906c2.pdfpdf_icon

HY1906B

HY1906C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin Description 60V/70AD D D D D D D DRDS(ON)= 5.7 m(typ.)@VGS = 10V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices AvailableS S S G G S S SPin1 PPAK5*6-8L Applications High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter Power Tool Application Networking DC-DC Powe

 9.1. Size:1085K  1
hy1904c2.pdfpdf_icon

HY1906B

HY1904C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Description Pin Description 40V/65ARDS(ON)= 5.1m(typ.)@VGS = 10VD D D D D D D DRDS(ON)= 6.2m(typ.)@VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices AvailableS S S G G S S SPin1 PPAK5*6-8L Applications High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter Powe

 9.2. Size:1637K  hymexa
hy1904d hy1904u hy1904v.pdfpdf_icon

HY1906B

HY1904D/U/V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description 40V/72A RDS(ON)= 4.8m(typ.)@VGS = 10V RDS(ON)= 5.8m(typ.)@VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Lead Free and Green Devices Available (RoHS Compliant) TO-252-2L TO-251-3L TO-251-3S Applications Power Management for Inverter Systems N-Channel MOSFET

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: FQA6N90CF109 | FQB17P06TM | STS5PF20V | FQB22P10

 

 
Back to Top

 


 
.