Справочник MOSFET. IRFP640

 

IRFP640 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFP640
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для IRFP640

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFP640 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:209K  no
 irfp640.pdf pdf_icon

IRFP640

IRFP640 HEXFET Power MOSFET Dynamic dv/dt Rating Repetitive Avalanche Rated VDSS = 200V Fast switching Ease of Paralleling ID = 18A Simple Drive Requirements RDS(ON) =0.18Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier www.DataSheet4U.comprovide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-res

Другие MOSFET... JCS7N65FB , MDF13N65B , AOD452A , APM2030N , CEP603AL , CEB603AL , HY1906P , HY1906B , P0903BDG , MMD70R900P , N6004NZ , PHP45N03LTA , PHB45N03LTA , PHD45N03LTA , RU190N08 , RU190N08Q , RU190N08R .

History: PHB45N03LTA | AP4433GH-HF

 

 
Back to Top

 


 
.