IRFP640 - описание и поиск аналогов

 

IRFP640. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFP640

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 51 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для IRFP640

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFP640 даташит

 ..1. Size:209K  no
 irfp640.pdf pdf_icon

IRFP640

IRFP640 HEXFET Power MOSFET Dynamic dv/dt Rating Repetitive Avalanche Rated VDSS = 200V Fast switching Ease of Paralleling ID = 18A Simple Drive Requirements RDS(ON) =0.18 Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier www.DataSheet4U.com provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-res

Другие MOSFET... JCS7N65FB , MDF13N65B , AOD452A , APM2030N , CEP603AL , CEB603AL , HY1906P , HY1906B , IRF1407 , MMD70R900P , N6004NZ , PHP45N03LTA , PHB45N03LTA , PHD45N03LTA , RU190N08 , RU190N08Q , RU190N08R .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.