Справочник MOSFET. IRFP640

 

IRFP640 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFP640
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 51 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 430 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.18 Ohm
   Тип корпуса: TO220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFP640 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:209K  no
 irfp640.pdf pdf_icon

IRFP640

IRFP640 HEXFET Power MOSFET Dynamic dv/dt Rating Repetitive Avalanche Rated VDSS = 200V Fast switching Ease of Paralleling ID = 18A Simple Drive Requirements RDS(ON) =0.18Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier www.DataSheet4U.comprovide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-res

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: NTMS4802NR2G | IRF2903ZLPBF | IRC533A | STP4403 | 2SK2735L | 2SK3609-01 | BUK9E1R9-40E

 

 
Back to Top

 


 
.