Справочник MOSFET. PHP45N03LTA

 

PHP45N03LTA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: PHP45N03LTA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для PHP45N03LTA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHP45N03LTA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:113K  philips
 php45n03lta phb45n03lta phd45n03lta.pdf pdf_icon

PHP45N03LTA

PHP/PHB/PHD45N03LTAN-channel enhancement mode field-effect transistorRev. 02 02 November 2001 Product data1. DescriptionN-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package usingTrenchMOS1 technology.Product availability:PHP45N03LTA in SOT78 (TO-220AB)PHB45N03LTA in SOT404 (D2-PAK)PHD45N03LTA in SOT428 (D-PAK).2. Features Low on-state resistance

 4.1. Size:89K  philips
 php45n03lt phb45n03lt phd45n03lt.pdf pdf_icon

PHP45N03LTA

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP45N03LT, PHB45N03LT, PHD45N03LT Logic level FETFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 30 V Very low on-state resistance Fast switching ID = 45 A Stable off-state characteristics High thermal cycling performance RDS(ON) 24 m (VGS = 5 V)g Low thermal

 4.2. Size:295K  philips
 php45n03lt-06.pdf pdf_icon

PHP45N03LTA

PHP45N03LT; PHB45N03LT;PHD45N03LTN-channel TrenchMOS transistorRev. 06 05 October 2000 Product specification1. DescriptionN-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package usingTrenchMOS1 technology.Product availability:PHP45N03LT in SOT78 (TO-220AB)PHB45N03LT in SOT404 (D2-PAK)PHD45N03LT in SOT428 (D-PAK).2. Features Low on-state resistance

 4.3. Size:45K  philips
 php45n03lt 2.pdf pdf_icon

PHP45N03LTA

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP45N03LT, PHB45N03LT, PHD45N03LT Logic level FETFEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 30 V Very low on-state resistance Fast switching ID = 45 A Stable off-state characteristics High thermal cycling performance RDS(ON) 24 m (VGS = 5 V)g Low thermal

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... APM2030N , CEP603AL , CEB603AL , HY1906P , HY1906B , IRFP640 , MMD70R900P , N6004NZ , 13N50 , PHB45N03LTA , PHD45N03LTA , RU190N08 , RU190N08Q , RU190N08R , RU190N08S , MDA0531EURH , MDC0531EURH .

History: 2SK2674 | IRLML6401GPBF

 

 
Back to Top

 


 
.