PHP45N03LTA - описание и поиск аналогов

 

PHP45N03LTA. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PHP45N03LTA

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 65 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 25 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 60 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.021 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для PHP45N03LTA

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

PHP45N03LTA даташит

 ..1. Size:113K  philips
php45n03lta phb45n03lta phd45n03lta.pdfpdf_icon

PHP45N03LTA

PHP/PHB/PHD45N03LTA N-channel enhancement mode field-effect transistor Rev. 02 02 November 2001 Product data 1. Description N-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS 1 technology. Product availability PHP45N03LTA in SOT78 (TO-220AB) PHB45N03LTA in SOT404 (D2-PAK) PHD45N03LTA in SOT428 (D-PAK). 2. Features Low on-state resistance

 4.1. Size:89K  philips
php45n03lt phb45n03lt phd45n03lt.pdfpdf_icon

PHP45N03LTA

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP45N03LT, PHB45N03LT, PHD45N03LT Logic level FET FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 30 V Very low on-state resistance Fast switching ID = 45 A Stable off-state characteristics High thermal cycling performance RDS(ON) 24 m (VGS = 5 V) g Low thermal

 4.2. Size:295K  philips
php45n03lt-06.pdfpdf_icon

PHP45N03LTA

PHP45N03LT; PHB45N03LT; PHD45N03LT N-channel TrenchMOS transistor Rev. 06 05 October 2000 Product specification 1. Description N-channel logic level field-effect power transistor in a plastic package using TrenchMOS 1 technology. Product availability PHP45N03LT in SOT78 (TO-220AB) PHB45N03LT in SOT404 (D2-PAK) PHD45N03LT in SOT428 (D-PAK). 2. Features Low on-state resistance

 4.3. Size:45K  philips
php45n03lt 2.pdfpdf_icon

PHP45N03LTA

Philips Semiconductors Product specification TrenchMOS transistor PHP45N03LT, PHB45N03LT, PHD45N03LT Logic level FET FEATURES SYMBOL QUICK REFERENCE DATA Trench technology d VDSS = 30 V Very low on-state resistance Fast switching ID = 45 A Stable off-state characteristics High thermal cycling performance RDS(ON) 24 m (VGS = 5 V) g Low thermal

Другие MOSFET... APM2030N , CEP603AL , CEB603AL , HY1906P , HY1906B , IRFP640 , MMD70R900P , N6004NZ , 5N60 , PHB45N03LTA , PHD45N03LTA , RU190N08 , RU190N08Q , RU190N08R , RU190N08S , MDA0531EURH , MDC0531EURH .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.