MDD1851RH - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MDD1851RH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 45 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 19.1 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 226 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для MDD1851RH
MDD1851RH Datasheet (PDF)
mdd1851rh.pdf

MDD1851 N-Channel Trench MOSFET 45V, 50A, 9.0m General Description Features The MDD1851 uses advanced MagnaChips trench V = 45V DSMOSFET Technology to provide high performance in on- I = 50A @V = 10V D GSstate resistance, switching performance and reliability R DS(ON)
Другие MOSFET... MDD1051RH , MDD14N25CRH , MDD1501RH , MDD1502RH , MDD1503RH , MDD1504RH , MDD1752RH , MDD1754RH , MMIS60R580P , MDD1901RH , MDD1902RH , MDD1903RH , MDD1904RH , MDD1951RH , MDD2N60RH , MDD3752ARH , MDD3752RH .
History: STB13N80K5 | RJK0603DPN-E0
History: STB13N80K5 | RJK0603DPN-E0



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: FTP06N06N | MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50
Popular searches
2sc461 | hy1906 | 2sc2238 | 2sc458 transistor | b649a transistor | 2sa606 | 2n3644 | 2sc2240bl