Справочник MOSFET. MDD1851RH

 

MDD1851RH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MDD1851RH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 45 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 19.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 226 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для MDD1851RH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDD1851RH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:787K  magnachip
 mdd1851rh.pdf pdf_icon

MDD1851RH

MDD1851 N-Channel Trench MOSFET 45V, 50A, 9.0m General Description Features The MDD1851 uses advanced MagnaChips trench V = 45V DSMOSFET Technology to provide high performance in on- I = 50A @V = 10V D GSstate resistance, switching performance and reliability R DS(ON)

Другие MOSFET... MDD1051RH , MDD14N25CRH , MDD1501RH , MDD1502RH , MDD1503RH , MDD1504RH , MDD1752RH , MDD1754RH , MMIS60R580P , MDD1901RH , MDD1902RH , MDD1903RH , MDD1904RH , MDD1951RH , MDD2N60RH , MDD3752ARH , MDD3752RH .

History: BL33N25-P | PE610SA | SPS01N60C3 | 6706A | PHD66NQ03LT | AONS21357 | IXTH34N65X2

 

 
Back to Top

 


 
.