MDD1851RH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MDD1851RH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 45 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 50 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 30.3 nC
Время нарастания (tr): 19.1 ns
Выходная емкость (Cd): 226 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.009 Ohm
Тип корпуса: TO-252
MDD1851RH Datasheet (PDF)
mdd1851rh.pdf
![](https://alltransistors.com/ad/pdf_icon.gif)
MDD1851 N-Channel Trench MOSFET 45V, 50A, 9.0m General Description Features The MDD1851 uses advanced MagnaChips trench V = 45V DSMOSFET Technology to provide high performance in on- I = 50A @V = 10V D GSstate resistance, switching performance and reliability R DS(ON)
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
![MDD1851RH](https://alltransistors.com/images/us.png)
![MDD1851RH](https://alltransistors.com/images/es.png)
![MDD1851RH](https://alltransistors.com/images/ru.png)
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C