MDD1901RH - описание и поиск аналогов

 

MDD1901RH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MDD1901RH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 235 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для MDD1901RH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDD1901RH даташит

 ..1. Size:841K  magnachip
mdd1901rh.pdfpdf_icon

MDD1901RH

MDD1901 Single N-channel Trench MOSFET 100V, 40A, 22m General Description Features The MDD1901 uses advanced MagnaChip s MOSFET VDS = 100V Technology, which provides high performance in on-state I = 40A @V = 10V D GS resistance, fast switching performance and excellent R DS(ON) quality. MDD1901 is suitable device for DC/DC

 8.1. Size:881K  magnachip
mdd1902rh.pdfpdf_icon

MDD1901RH

MDD1902 Single N-channel Trench MOSFET 100V, 40A, 28m General Description Features The MDD1902 uses advanced MagnaChip s MOSFET VDS = 100V Technology, which provides high performance in on-state I = 40A @V = 10V D GS resistance, fast switching performance and excellent R DS(ON) quality. MDD1902 is suitable device for DC/DC

 8.2. Size:802K  magnachip
mdd1903rh.pdfpdf_icon

MDD1901RH

MDD1903 Single N-channel Trench MOSFET 100V, 12.8A, 105m General Description Features The MDD1903 uses advanced MagnaChip s MOSFET V = 100V DS Technology, which provides high performance in on-state I = 12.8A @V = 10V D GS resistance, fast switching performance and excellent R DS(ON) (MAX) quality. MDD1903 is suitable device for DC to DC

 8.3. Size:992K  magnachip
mdd1904rh.pdfpdf_icon

MDD1901RH

MDD1904 Single N-channel Trench MOSFET 100V, 10.8A, 140m General Description Features The MDD1904 uses advanced MagnaChip s MOSFET V = 100V DS Technology, which provides high performance in on-state I = 10.8A @V = 10V D GS resistance, fast switching performance and excellent R DS(ON) (MAX) quality. MDD1904 is suitable device for DC to DC

Другие MOSFET... MDD14N25CRH , MDD1501RH , MDD1502RH , MDD1503RH , MDD1504RH , MDD1752RH , MDD1754RH , MDD1851RH , IRFZ48N , MDD1902RH , MDD1903RH , MDD1904RH , MDD1951RH , MDD2N60RH , MDD3752ARH , MDD3752RH , MDD3754RH .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.