MDD1903RH - аналоги и даташиты транзистора

 

MDD1903RH - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MDD1903RH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для MDD1903RH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDD1903RH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:802K  magnachip
 mdd1903rh.pdf pdf_icon

MDD1903RH

MDD1903 Single N-channel Trench MOSFET 100V, 12.8A, 105m General Description Features The MDD1903 uses advanced MagnaChips MOSFET V = 100V DSTechnology, which provides high performance in on-state I = 12.8A @V = 10V D GSresistance, fast switching performance and excellent R DS(ON) (MAX)quality. MDD1903 is suitable device for DC to DC

 ..2. Size:287K  inchange semiconductor
 mdd1903rh.pdf pdf_icon

MDD1903RH

isc N-Channel MOSFET Transistor MDD1903RHFEATURESDrain Current : I = 12.8A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 100V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 105m(Max) @ V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand so

 8.1. Size:881K  magnachip
 mdd1902rh.pdf pdf_icon

MDD1903RH

MDD1902 Single N-channel Trench MOSFET 100V, 40A, 28m General Description Features The MDD1902 uses advanced MagnaChips MOSFET VDS = 100V Technology, which provides high performance in on-state I = 40A @V = 10V D GSresistance, fast switching performance and excellent R DS(ON)quality. MDD1902 is suitable device for DC/DC

 8.2. Size:841K  magnachip
 mdd1901rh.pdf pdf_icon

MDD1903RH

MDD1901 Single N-channel Trench MOSFET 100V, 40A, 22m General Description Features The MDD1901 uses advanced MagnaChips MOSFET VDS = 100V Technology, which provides high performance in on-state I = 40A @V = 10V D GSresistance, fast switching performance and excellent R DS(ON)quality. MDD1901 is suitable device for DC/DC

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... MDD1502RH , MDD1503RH , MDD1504RH , MDD1752RH , MDD1754RH , MDD1851RH , MDD1901RH , MDD1902RH , IRF1405 , MDD1904RH , MDD1951RH , MDD2N60RH , MDD3752ARH , MDD3752RH , MDD3754RH , MDD3N40RH , MDD3N50GRH .

 

 
Back to Top

 


 
.