IRFS523. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFS523

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для IRFS523

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS523 даташит

 8.1. Size:325K  international rectifier
 irfb52n15dpbf irfs52n15dpbf.pdf pdf_icon

IRFS523

PD - 97002A IRFB52N15DPbF IRFS52N15DPbF IRFSL52N15DPbF Applications HEXFET Power MOSFET l High frequency DC-DC converters Key Parameters l Plasma Display Panel VDS 150 V VDS (Avalanche) min. 200 V Benefits RDS(ON) max @ 10V 32 m l Low Gate-to-Drain Charge to TJ max Reduce Switching Losses 175 C l Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design

 8.2. Size:325K  international rectifier
 irfb52n15dpbf irfs52n15dpbf irfsl52n15dpbf.pdf pdf_icon

IRFS523

PD - 97002A IRFB52N15DPbF IRFS52N15DPbF IRFSL52N15DPbF Applications HEXFET Power MOSFET l High frequency DC-DC converters Key Parameters l Plasma Display Panel VDS 150 V VDS (Avalanche) min. 200 V Benefits RDS(ON) max @ 10V 32 m l Low Gate-to-Drain Charge to TJ max Reduce Switching Losses 175 C l Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design

 8.3. Size:134K  international rectifier
 irfs52n15d.pdf pdf_icon

IRFS523

PD - 94357 IRFB52N15D IRFS52N15D SMPS MOSFET IRFSL52N15D HEXFET Power MOSFET Applications VDSS RDS(on) max ID High frequency DC-DC converters 150V 0.032 60A Benefits Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) Fully Characterized Avalanche Voltage and Current

 8.4. Size:504K  samsung
 irfs520a.pdf pdf_icon

IRFS523

Advanced Power MOSFET FEATURES BVDSS = 100 V Avalanche Rugged Technology RDS(on) = 0.2 Rugged Gate Oxide Technology Lower Input Capacitance ID = 7.2 A Improved Gate Charge Extended Safe Operating Area 175 Operating Temperature Lower Leakage Current 10 A (Max.) @ VDS = 100V Lower RDS(ON) 0.155 (Typ.) 1 2 3 1.Gate 2. Drain 3. Source Absolute Maximu

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFS451, IRFS452, IRFS453, IRFS510A, IRFS520, IRFS520A, IRFS521, IRFS522, AON7408, IRFS530, IRFS530A, IRFS531, IRFS532, IRFS533, IRFS540, IRFS540A, IRFS541