Справочник MOSFET. MDD3752RH

 

MDD3752RH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MDD3752RH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 40 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 43 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 44.1 nC
   Время нарастания (tr): 17.8 ns
   Выходная емкость (Cd): 290 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.017 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для MDD3752RH

 

 

MDD3752RH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:755K  magnachip
mdd3752rh.pdf

MDD3752RH
MDD3752RH

MDD3752 P-Channel Trench MOSFET, -40V, -43A, 17m Features General Description V = -40V DSThe MDD3752 uses advanced MagnaChips Trench I = -43A @V = -10V D GSMOSFET Technology to provided high performance in on- R DS(ON)state resistance, switching performance and reliability.

 ..2. Size:890K  cn vbsemi
mdd3752rh.pdf

MDD3752RH
MDD3752RH

MDD3752RHwww.VBsemi.twP-Channel 4 0 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -40 Package with low thermal resistanceRDS(on) () at VGS = -10 V 0.012 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.015ID (A) -50Configuration SingleTO-252SGDDG SP-Channel MOSFETTop ViewABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, un

 7.1. Size:858K  magnachip
mdd3752arh.pdf

MDD3752RH
MDD3752RH

MDD3752A P-Channel Trench MOSFET, -40V, -43A, 17m Features General Description V = -40V DSThe MDD3752A uses advanced MagnaChips Trench I = -43A @V = -10V D GSMOSFET Technology to provided high performance in on- R DS(ON)state resistance, switching performance and reliability.

 8.1. Size:683K  magnachip
mdd3754rh.pdf

MDD3752RH
MDD3752RH

MDD3754 P-Channel Trench MOSFET, -40V, -24.4A, 43m Features General Description VDS = -40V The MDD3754 uses advanced MagnaChips Trench I = -24.4A @V = -10V D GSMOSFET Technology to provided high performance in on- RDS(ON) state resistance, switching performance and reliability.

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top