MDD3N40RH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MDD3N40RH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 30 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 27 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.4 Ohm
Тип корпуса: TO-252
MDD3N40RH Datasheet (PDF)
mdd3n40rh.pdf
MDD3N40 N-Channel MOSFET 400V, 2.0A, 3.4 General Description Features The MDD3N40 use advanced Magnachips V = 400V DSMOSFET Technology, which provides low on-state I = 2.0A @V = 10V D GSresistance, high switching performance and RDS(ON) 3.4 @VGS = 10V excellent quality. MDD3N40 are suitable device for SMPS and Applications general purpose appli
mdd3n50grh.pdf
MDD3N50G N-Channel MOSFET 500V, 2.8 A, 2.5 General Description Features The MDD3N50G uses advanced Magnachips V = 500V DSMOSFET Technology, which provides low on-state @VGS = 10V ID = 2.8A resistance, high switching performance and @V = 10V R 2.5 DS(ON) GSexcellent quality. MDD3N50G is suitable device for SMPS, HID and general purpose applications. App
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918