MDD5N50FRH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MDD5N50FRH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 4.2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 12.2 nC
Время нарастания (tr): 24 ns
Выходная емкость (Cd): 65 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.55 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для MDD5N50FRH
MDD5N50FRH Datasheet (PDF)
mdd5n50frh.pdf
MDD5N50F N-Channel MOSFET 500V, 4.2 A, 1.55 General Description Features The MDD5N50F uses advanced Magnachips V = 500V DSMOSFET Technology, which provides low on-state I = 4.2A @V = 10V D GSresistance, high switching performance and RDS(ON) 1.5 @VGS = 10V excellent quality. MDD5N50F is suitable device for Power Supply, Applications PFC and gen
mdd5n50zrh.pdf
MDD5N50Z N-Channel MOSFET 500V, 4.4 A, 1.4 General Description Features The MDD5N50Z uses advanced Magnachips V = 500V DSMOSFET Technology, which provides low on-state VDS = 550V @ Tjmax resistance, high switching performance and I = 4.4A @V = 10V D GSexcellent quality. R 1.4 @V = 10V DS(ON) GSMDD5N50Z is suitable device for SMPS, HID and general pur
mdd5n50rh.pdf
MDD5N50 N-Channel MOSFET 500V, 4.4 A, 1.4 General Description Features The MDD5N50 uses advanced Magnachips V = 500V DSMOSFET Technology, which provides low on-state I = 4.4A @V = 10V D GSresistance, high switching performance and RDS(ON) 1.4 @VGS = 10V excellent quality. MDD5N50 is suitable device for SMPS, Ballast and general purpose applicatio
mdd5n40rh mdi5n40th.pdf
MDI5N40/MDD5N40 N-Channel MOSFET 400V, 3.4 A, 1.6General Description Features The MDI5N40 / MDD5N40 use advanced VDS = 400V Magnachips MOSFET Technology, which provides ID = 3.4A @VGS = 10V low on-state resistance, high switching performance @VGS = 10V RDS(ON) 1.6 and excellent quality. MDI5N40 is suitable device for SMPS, HID and general pur
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
