Справочник MOSFET. MDD5N50ZRH

 

MDD5N50ZRH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MDD5N50ZRH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 12.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 65 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-252

 Аналог (замена) для MDD5N50ZRH

 

 

MDD5N50ZRH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:770K  magnachip
 mdd5n50zrh.pdf

MDD5N50ZRH MDD5N50ZRH

MDD5N50Z N-Channel MOSFET 500V, 4.4 A, 1.4 General Description Features The MDD5N50Z uses advanced Magnachips V = 500V DSMOSFET Technology, which provides low on-state VDS = 550V @ Tjmax resistance, high switching performance and I = 4.4A @V = 10V D GSexcellent quality. R 1.4 @V = 10V DS(ON) GSMDD5N50Z is suitable device for SMPS, HID and general pur

 7.1. Size:928K  magnachip
 mdd5n50frh.pdf

MDD5N50ZRH MDD5N50ZRH

MDD5N50F N-Channel MOSFET 500V, 4.2 A, 1.55 General Description Features The MDD5N50F uses advanced Magnachips V = 500V DSMOSFET Technology, which provides low on-state I = 4.2A @V = 10V D GSresistance, high switching performance and RDS(ON) 1.5 @VGS = 10V excellent quality. MDD5N50F is suitable device for Power Supply, Applications PFC and gen

 7.2. Size:919K  magnachip
 mdd5n50rh.pdf

MDD5N50ZRH MDD5N50ZRH

MDD5N50 N-Channel MOSFET 500V, 4.4 A, 1.4 General Description Features The MDD5N50 uses advanced Magnachips V = 500V DSMOSFET Technology, which provides low on-state I = 4.4A @V = 10V D GSresistance, high switching performance and RDS(ON) 1.4 @VGS = 10V excellent quality. MDD5N50 is suitable device for SMPS, Ballast and general purpose applicatio

 9.1. Size:865K  magnachip
 mdd5n40rh mdi5n40th.pdf

MDD5N50ZRH MDD5N50ZRH

MDI5N40/MDD5N40 N-Channel MOSFET 400V, 3.4 A, 1.6General Description Features The MDI5N40 / MDD5N40 use advanced VDS = 400V Magnachips MOSFET Technology, which provides ID = 3.4A @VGS = 10V low on-state resistance, high switching performance @VGS = 10V RDS(ON) 1.6 and excellent quality. MDI5N40 is suitable device for SMPS, HID and general pur

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top