MDF12N50FTH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MDF12N50FTH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 42 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 11.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 20 nC
Время нарастания (tr): 35 ns
Выходная емкость (Cd): 125 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.7 Ohm
Тип корпуса: TO-220F
Аналог (замена) для MDF12N50FTH
MDF12N50FTH Datasheet (PDF)
mdf12n50fth mdp12n50fth.pdf
MDP12N50F/MDF12N50F N-Channel MOSFET 500V, 11.5A, 0.7 General Description Features These N-channel MOSFET are produced using advanced V = 500V DSMagnaChips MOSFET Technology, which provides low on- I = 11.5A @ V = 10V D GSstate resistance, high switching performance and excellent R 0.7 @ V = 10V DS(ON) GSquality. Applications These devices are suitable devic
mdf12n50bth mdp12n50bth.pdf
MDP12N50B / MDF12N50B N-Channel MOSFET 500V, 11.5A, 0.65General Description Features The MDP/F12N50B uses advanced Magnachips VDS = 500V MOSFET Technology, which provides low on-state ID = 11.5A @VGS = 10V resistance, high switching performance and RDS(ON) 0.65 @VGS = 10V excellent quality. MDP/F12N50B is suitable device for SMPS, high Applications Speed switc
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
