Справочник MOSFET. MDF18N50BTH

 

MDF18N50BTH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MDF18N50BTH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 37 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 82 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 307 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F

 Аналог (замена) для MDF18N50BTH

 

 

MDF18N50BTH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1244K  magnachip
 mdf18n50bth mdp18n50bth.pdf

MDF18N50BTH MDF18N50BTH

MDP18N50B / MDF18N50B N-Channel MOSFET 500V, 18.0 A, 0.27General Description Features The MDP/F18N50B uses advanced Magnachips VDS = 500V MOSFET Technology, which provides low on-state ID = 18.0A @VGS = 10V resistance, high switching performance and RDS(ON) 0.27 @VGS = 10V excellent quality. MDP/F18N50B is suitable device for SMPS, HID Applications and general

 ..2. Size:245K  inchange semiconductor
 mdf18n50bth.pdf

MDF18N50BTH MDF18N50BTH

isc N-Channel MOSFET Transistor MDF18N50BTHFEATURES Drain-source on-resistance:RDS(on) 0.27 (max)Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONPower SupplyHigh Current, High Speed SwitchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER

 6.1. Size:819K  magnachip
 mdf18n50.pdf

MDF18N50BTH MDF18N50BTH

MDF18N50 N-Channel MOSFET 500V, 18 A, 0.27 General Description Features The MDF18N50 uses advanced MagnaChips MOSFET V = 500V DSTechnology, which provides low on-state resistance, high I = 18A @V = 10V D GS R 0.27 @V = 10V switching performance and excellent quality. DS(ON) GSMDF18N50 is suitable device for SMPS, high speed switching Applications and general

 6.2. Size:245K  inchange semiconductor
 mdf18n50th.pdf

MDF18N50BTH MDF18N50BTH

isc N-Channel MOSFET Transistor MDF18N50THFEATURES Drain-source on-resistance:RDS(on) 0.27 (max)Enhancement modeFast Switching Speed100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONPower SupplyHigh Current, High Speed SwitchingABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top