MDF3752TH - описание и поиск аналогов

 

MDF3752TH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MDF3752TH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 17.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для MDF3752TH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDF3752TH даташит

 ..1. Size:642K  magnachip
 mdf3752th.pdf pdf_icon

MDF3752TH

MDF3752 P-Channel Trench MOSFET, -40V, -36.5A, 17m Features General Description VDS = -40V The MDF3752 uses advanced MagnaChip s Trench I = -36.5A @V = -10V D GS MOSFET Technology to provided high performance in on- RDS(ON) state resistance, switching performance and reliability.

Другие MOSFET... MDF13N65BTH , MDF15N60GTH , MDF16N50GTH , MDF18N50BTH , MDF1903TH , MDF2N60BTH , MDF2N60TH , MDF2N60TP , 8205A , MDF4N60BTH , MDF4N60DTH , MDF4N60TH , MDF4N60TP , MDF4N65BTH , MDF5N50BTH , MDF5N50FBTH , MDF5N50FTH .

History: APT10078SFLL | 2SK3595-01MR

 

 

 

 

↑ Back to Top
.