Справочник MOSFET. MDF3752TH

 

MDF3752TH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MDF3752TH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35.7 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17.8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для MDF3752TH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDF3752TH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:642K  magnachip
 mdf3752th.pdf pdf_icon

MDF3752TH

MDF3752 P-Channel Trench MOSFET, -40V, -36.5A, 17m Features General Description VDS = -40V The MDF3752 uses advanced MagnaChips Trench I = -36.5A @V = -10V D GSMOSFET Technology to provided high performance in on- RDS(ON) state resistance, switching performance and reliability.

Другие MOSFET... MDF13N65BTH , MDF15N60GTH , MDF16N50GTH , MDF18N50BTH , MDF1903TH , MDF2N60BTH , MDF2N60TH , MDF2N60TP , 2SK3878 , MDF4N60BTH , MDF4N60DTH , MDF4N60TH , MDF4N60TP , MDF4N65BTH , MDF5N50BTH , MDF5N50FBTH , MDF5N50FTH .

History: IRF643

 

 
Back to Top

 


 
.