Справочник MOSFET. MDHT4N25URH

 

MDHT4N25URH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MDHT4N25URH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.83 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.75 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223
 

 Аналог (замена) для MDHT4N25URH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDHT4N25URH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:878K  magnachip
 mdht4n25urh.pdf pdf_icon

MDHT4N25URH

MDHT4N25 N-Channel MOSFET 250V, 0.83A, 1.75 General Description Features The MDHT4N25 uses advanced Magnachips V = 250V DSMOSFET Technology, which provides low on-state I = 0.83A Dresistance, high switching performance and RDS(ON) 1.75 @VGS = 10V excellent quality. Applications MDHT4N25 is suitable device for SMPS, HID and general purpose appli

 7.1. Size:901K  magnachip
 mdht4n20yurh.pdf pdf_icon

MDHT4N25URH

MDHT4N20Y N-Channel MOSFET 200V, 0.85A, 1.35 General Description Features The MDHT4N20Y uses advanced Magnachips V = 200V DSMOSFET Technology, which provides low on-state I = 0.85A @V = 10V D GSresistance, high switching performance and RDS(ON) 1.35 @VGS = 10V excellent quality. MDHT4N20Y is suitable device for LED TV and general purpose applicat

Другие MOSFET... MDF9N50FTH , MDF9N60BTH , MDFS10N60DTH , MDFS4N65DTH , MDH3331RH , MDH3331RP , MDHT3N40URH , MDHT4N20YURH , AO4407 , MDHT7N25URH , MDI1752TH , MDI1N60STH , MDI2N60 , MDI4N60BTH , MDI5N40TH , MDI6N60BTH , MDI6N65BTH .

History: NCEP018N60D | 2SK3868

 

 
Back to Top

 


 
.