Справочник MOSFET. MDIS2N60TH

 

MDIS2N60TH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MDIS2N60TH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 29.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-251-VS
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MDIS2N60TH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:877K  magnachip
 mdis2n60th.pdf pdf_icon

MDIS2N60TH

MDIS2N60 N-Channel MOSFET 600V, 1.9A, 4.5General Description Features These N-channel MOSFET are produced using advanced VDS = 600V MagnaChips MOSFET Technology, which provides low on- ID = 1.9A @ VGS = 10V state resistance, high switching performance and excellent RDS(ON) 4.5 @ VGS = 10V quality. Applications These devices are suitable device for SM

 7.1. Size:928K  magnachip
 mdis2n65bth.pdf pdf_icon

MDIS2N60TH

MDIS2N65B N-Channel MOSFET 650V, 1.95A, 4.5 General Description Features The MDIS2N65B uses advanced MagnaChips V = 650V DSMOSFET technology, which provides low on-state I = 1.95A @V = 10V D GSresistance, high switching performance and RDS(ON) 4.5 @VGS = 10V excellent quality. MDIS2N65B is suitable device for SMPS, compact ballast, battery charge

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRFB11N50A | SDF9N100JEA-S | MTB1D7N03ATH8 | 2SK610 | 2SK2525-01 | AP55T10GH-HF | SQ3410EV

 

 
Back to Top

 


 
.