Справочник MOSFET. MDIS2N60TH

 

MDIS2N60TH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MDIS2N60TH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 42 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 6.7 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 29.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-251-VS
 

 Аналог (замена) для MDIS2N60TH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDIS2N60TH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:877K  magnachip
 mdis2n60th.pdf pdf_icon

MDIS2N60TH

MDIS2N60 N-Channel MOSFET 600V, 1.9A, 4.5General Description Features These N-channel MOSFET are produced using advanced VDS = 600V MagnaChips MOSFET Technology, which provides low on- ID = 1.9A @ VGS = 10V state resistance, high switching performance and excellent RDS(ON) 4.5 @ VGS = 10V quality. Applications These devices are suitable device for SM

 7.1. Size:928K  magnachip
 mdis2n65bth.pdf pdf_icon

MDIS2N60TH

MDIS2N65B N-Channel MOSFET 650V, 1.95A, 4.5 General Description Features The MDIS2N65B uses advanced MagnaChips V = 650V DSMOSFET technology, which provides low on-state I = 1.95A @V = 10V D GSresistance, high switching performance and RDS(ON) 4.5 @VGS = 10V excellent quality. MDIS2N65B is suitable device for SMPS, compact ballast, battery charge

Другие MOSFET... MDI4N60BTH , MDI5N40TH , MDI6N60BTH , MDI6N65BTH , MDIB6N70CTH , MDIS1501TH , MDIS1502TH , MDIS1903TH , STP80NF70 , MDIS2N65BTH , MDIS3N40TH , MDIS4N65BTH , MDIS5N40TH , MDIS5N50TH , MDP10N50TH , MDP10N60GTH , MDP11N60TH .

History: AP20N15AGH-HF | BUK7E1R6-30E | AP9952GP-HF

 

 
Back to Top

 


 
.