MDIS5N40TH - описание и поиск аналогов

 

MDIS5N40TH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MDIS5N40TH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 46 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.6 Ohm

Тип корпуса: TO-251-VS

Аналог (замена) для MDIS5N40TH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDIS5N40TH даташит

 ..1. Size:1013K  magnachip
mdis5n40th.pdfpdf_icon

MDIS5N40TH

MDIS5N40 N-Channel MOSFET 400V, 3.4 A, 1.6 General Description Features The MDIS5N40 uses advanced Magnachip s V = 400V DS MOSFET Technology, which provides low on-state I = 3.4A @V = 10V D GS resistance, high switching performance and RDS(ON) 1.6 @VGS = 10V excellent quality. MDIS5N40 is suitable device for SMPS, HID and general purpose application

 ..2. Size:320K  inchange semiconductor
mdis5n40th.pdfpdf_icon

MDIS5N40TH

isc N-Channel MOSFET Transistor MDIS5N40TH FEATURES Drain Current I = 3.4A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 400V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 1.6 (Max) @V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and sole

 8.1. Size:960K  magnachip
mdis5n50th.pdfpdf_icon

MDIS5N40TH

MDIS5N50 N-Channel MOSFET 500V, 4.4 A, 1.4 General Description Features The MDIS5N50 uses advanced MagnaChip s VDS = 500V MOSFET technology, which provides low on-state VDS = 550V @ Tjmax resistance, high switching performance and ID = 4.4A @VGS = 10V excellent quality. RDS(ON) 1.4 @VGS = 10V MDIS5N50 is suitable device for SMPS, HID and general

 8.2. Size:321K  inchange semiconductor
mdis5n50th.pdfpdf_icon

MDIS5N40TH

isc N-Channel MOSFET Transistor MDIS5N50TH FEATURES Drain Current I = 4.4A@ T =25 D C Drain Source Voltage V = 400V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 1.4 (Max) @V = 10V DS(on) GS 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION motor drive, DC-DC converter, power switch and sole

Другие MOSFET... MDIB6N70CTH , MDIS1501TH , MDIS1502TH , MDIS1903TH , MDIS2N60TH , MDIS2N65BTH , MDIS3N40TH , MDIS4N65BTH , AO3407 , MDIS5N50TH , MDP10N50TH , MDP10N60GTH , MDP11N60TH , MDP12N50BTH , MDP12N50FTH , MDP13N50BTH , MDP13N50GTH .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.