Справочник MOSFET. MDP15N60GTH

 

MDP15N60GTH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MDP15N60GTH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 231.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 86 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 258 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для MDP15N60GTH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDP15N60GTH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1198K  magnachip
 mdf15n60gth mdp15n60gth.pdf pdf_icon

MDP15N60GTH

MDP15N60G / MDF15N60G N-Channel MOSFET 600V, 15A, 0.40 General Description Features These N-channel MOSFET are produced using advanced V = 600V DSMagnaChips MOSFET Technology, which provides low on- I = 15A @ V = 10V D GSstate resistance, high switching performance and excellent R 0.40 @ V = 10V DS(ON) GSquality. Applications These devices are sui

Другие MOSFET... MDP10N60GTH , MDP11N60TH , MDP12N50BTH , MDP12N50FTH , MDP13N50BTH , MDP13N50GTH , MDP14N25CTH , MDP14N25CTP , RU6888R , MDP16N50GTH , MDP1723TH , MDP18N50BTH , MDP1901TH , MDP1921TH , MDP1922TH , MDP1923TH , MDP1930TH .

History: BUK7907-55ATE | HM4N65I | 2SK3513-01S | STW34NB20 | AP98T07GP-HF | STW20N95K5 | MDS1654URH

 

 
Back to Top

 


 
.