MDP15N60GTH - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MDP15N60GTH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 231.4 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 86 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 258 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для MDP15N60GTH
MDP15N60GTH Datasheet (PDF)
mdf15n60gth mdp15n60gth.pdf

MDP15N60G / MDF15N60G N-Channel MOSFET 600V, 15A, 0.40 General Description Features These N-channel MOSFET are produced using advanced V = 600V DSMagnaChips MOSFET Technology, which provides low on- I = 15A @ V = 10V D GSstate resistance, high switching performance and excellent R 0.40 @ V = 10V DS(ON) GSquality. Applications These devices are sui
Другие MOSFET... MDP10N60GTH , MDP11N60TH , MDP12N50BTH , MDP12N50FTH , MDP13N50BTH , MDP13N50GTH , MDP14N25CTH , MDP14N25CTP , RU6888R , MDP16N50GTH , MDP1723TH , MDP18N50BTH , MDP1901TH , MDP1921TH , MDP1922TH , MDP1923TH , MDP1930TH .
History: SI7469DP | SVG105R4NKL | STZ150NF55T | PJU4NA60 | AP65SL130DP | PP1C06AKB
History: SI7469DP | SVG105R4NKL | STZ150NF55T | PJU4NA60 | AP65SL130DP | PP1C06AKB



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sa1306 | b817 transistor | 2n3394 | 2sb688 | 2sd551 | ac128 datasheet | 2n5496 | 2sb600