MDP15N60GTH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MDP15N60GTH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 231.4 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 15 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 49 nC
Время нарастания (tr): 86 ns
Выходная емкость (Cd): 258 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.4 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для MDP15N60GTH
MDP15N60GTH Datasheet (PDF)
..1. Size:1198K magnachip
mdf15n60gth mdp15n60gth.pdf
mdf15n60gth mdp15n60gth.pdf
MDP15N60G / MDF15N60G N-Channel MOSFET 600V, 15A, 0.40 General Description Features These N-channel MOSFET are produced using advanced V = 600V DSMagnaChips MOSFET Technology, which provides low on- I = 15A @ V = 10V D GSstate resistance, high switching performance and excellent R 0.40 @ V = 10V DS(ON) GSquality. Applications These devices are sui
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
