MDP15N60GTH - описание и поиск аналогов

 

MDP15N60GTH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MDP15N60GTH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 231.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 86 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 258 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для MDP15N60GTH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDP15N60GTH даташит

 ..1. Size:1198K  magnachip
 mdf15n60gth mdp15n60gth.pdf pdf_icon

MDP15N60GTH

MDP15N60G / MDF15N60G N-Channel MOSFET 600V, 15A, 0.40 General Description Features These N-channel MOSFET are produced using advanced V = 600V DS MagnaChip s MOSFET Technology, which provides low on- I = 15A @ V = 10V D GS state resistance, high switching performance and excellent R 0.40 @ V = 10V DS(ON) GS quality. Applications These devices are sui

Другие MOSFET... MDP10N60GTH , MDP11N60TH , MDP12N50BTH , MDP12N50FTH , MDP13N50BTH , MDP13N50GTH , MDP14N25CTH , MDP14N25CTP , AO3400A , MDP16N50GTH , MDP1723TH , MDP18N50BTH , MDP1901TH , MDP1921TH , MDP1922TH , MDP1923TH , MDP1930TH .

History: BSS139

 

 

 

 

↑ Back to Top
.