Справочник MOSFET. MDP15N60GTH

 

MDP15N60GTH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MDP15N60GTH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 231.4 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 86 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 258 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MDP15N60GTH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1198K  magnachip
 mdf15n60gth mdp15n60gth.pdf pdf_icon

MDP15N60GTH

MDP15N60G / MDF15N60G N-Channel MOSFET 600V, 15A, 0.40 General Description Features These N-channel MOSFET are produced using advanced V = 600V DSMagnaChips MOSFET Technology, which provides low on- I = 15A @ V = 10V D GSstate resistance, high switching performance and excellent R 0.40 @ V = 10V DS(ON) GSquality. Applications These devices are sui

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: SI5906DU | IXTZ42N20MA | SFB60N100 | SVS70R420DE3TR | NVMFS5C426NL | NTLUS3A18PZTAG | 2SK2882

 

 
Back to Top

 


 
.