Справочник MOSFET. MDP18N50BTH

 

MDP18N50BTH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MDP18N50BTH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 236 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 82 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 307 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.27 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MDP18N50BTH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1244K  magnachip
mdf18n50bth mdp18n50bth.pdfpdf_icon

MDP18N50BTH

MDP18N50B / MDF18N50B N-Channel MOSFET 500V, 18.0 A, 0.27General Description Features The MDP/F18N50B uses advanced Magnachips VDS = 500V MOSFET Technology, which provides low on-state ID = 18.0A @VGS = 10V resistance, high switching performance and RDS(ON) 0.27 @VGS = 10V excellent quality. MDP/F18N50B is suitable device for SMPS, HID Applications and general

 ..2. Size:289K  inchange semiconductor
mdp18n50bth.pdfpdf_icon

MDP18N50BTH

isc N-Channel MOSFET Transistor MDP18N50BTHFEATURESDrain Current : I = 18A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.27(Max) @V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand sol

 6.1. Size:1292K  magnachip
mdp18n50th.pdfpdf_icon

MDP18N50BTH

MDP18N50 N-Channel MOSFET 500V, 18.0 A, 0.27 Features General Description V = 500V DS The MDP18N50 uses advanced Magnachips I = 18.0A @V = 10V D GS MOSFET Technology, which provides low on- R

 6.2. Size:289K  inchange semiconductor
mdp18n50th.pdfpdf_icon

MDP18N50BTH

isc N-Channel MOSFET Transistor MDP18N50THFEATURESDrain Current : I = 18A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.27(Max) @V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand sole

Другие MOSFET... MDP12N50FTH , MDP13N50BTH , MDP13N50GTH , MDP14N25CTH , MDP14N25CTP , MDP15N60GTH , MDP16N50GTH , MDP1723TH , IRF9640 , MDP1901TH , MDP1921TH , MDP1922TH , MDP1923TH , MDP1930TH , MDP1932TH , MDP1933TH , MDP2N60TH .

History: DMN3052LSS | FHF630A

 

 
Back to Top

 


 
.