MDP2N60TP. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: MDP2N60TP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 53.9 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 29.6 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.5 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для MDP2N60TP
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
MDP2N60TP даташит
mdf2n60th mdf2n60tp mdp2n60th mdp2n60tp.pdf
MDP2N60/MDF2N60 N-Channel MOSFET 600V, 2.0A, 4.5 General Description Features These N-channel MOSFET are produced using advanced V = 600V DS MagnaChip s MOSFET Technology, which provides low on- I = 2.0A @ V = 10V D GS state resistance, high switching performance and excellent R 4.5 @ V = 10V DS(ON) GS quality. Applications These devices are suitable device for SM
mdp2n60 mdt2n60 mpf2n60.pdf
600V N-Channel Power MOSFET Features PRODUCT SUMMARY R
Другие MOSFET... MDP1901TH , MDP1921TH , MDP1922TH , MDP1923TH , MDP1930TH , MDP1932TH , MDP1933TH , MDP2N60TH , K2611 , MDP4N60TH , MDP4N60TP , MDP5N50BTH , MDP5N50FTH , MDP5N50ZTH , MDP6N60TH , MDP7N50BTH , MDP7N60BTH .
History: LNH5N50
History: LNH5N50
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
2sb1186a | a1695 datasheet | 3415 transistor | 072ne6pt | 2sd388 | 2sc1400 | 2sd331 | 2sc1312 datasheet