Справочник MOSFET. MDP2N60TP

 

MDP2N60TP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MDP2N60TP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 53.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 29.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 32 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4.5 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MDP2N60TP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1080K  magnachip
 mdf2n60th mdf2n60tp mdp2n60th mdp2n60tp.pdf pdf_icon

MDP2N60TP

MDP2N60/MDF2N60 N-Channel MOSFET 600V, 2.0A, 4.5General Description Features These N-channel MOSFET are produced using advanced V = 600V DSMagnaChips MOSFET Technology, which provides low on- I = 2.0A @ V = 10V D GSstate resistance, high switching performance and excellent R 4.5 @ V = 10V DS(ON) GSquality. Applications These devices are suitable device for SM

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: STV4N100 | LSF60R280HT | AFN2318A | AM8204 | NTB25P06 | ASDM2301ZA | 2SK2882

 

 
Back to Top

 


 
.