Справочник MOSFET. MDP4N60TP

 

MDP4N60TP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MDP4N60TP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 92.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 12.1 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 58 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для MDP4N60TP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MDP4N60TP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1239K  magnachip
 mdf4n60th mdf4n60tp mdp4n60th mdp4n60tp.pdf pdf_icon

MDP4N60TP

MDP4N60/MDF4N60 N-Channel MOSFET 600V, 4.6A, 2.0 General Description Features These N-channel MOSFET are produced using advanced V = 600V DSMagnaChips MOSFET Technology, which provides low on- I = 4.6A @ V = 10V D GSstate resistance, high switching performance and excellent R 2.0 @ V = 10V DS(ON) GSquality. Applications These devices are suitable

Другие MOSFET... MDP1922TH , MDP1923TH , MDP1930TH , MDP1932TH , MDP1933TH , MDP2N60TH , MDP2N60TP , MDP4N60TH , MMD60R360PRH , MDP5N50BTH , MDP5N50FTH , MDP5N50ZTH , MDP6N60TH , MDP7N50BTH , MDP7N60BTH , MDP7N60TH , MDP8N60TH .

History: K3569 | FDM20R120AN4G

 

 
Back to Top

 


 
.