Справочник MOSFET. MDP4N60TP

 

MDP4N60TP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MDP4N60TP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 92.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 58 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MDP4N60TP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1239K  magnachip
 mdf4n60th mdf4n60tp mdp4n60th mdp4n60tp.pdf pdf_icon

MDP4N60TP

MDP4N60/MDF4N60 N-Channel MOSFET 600V, 4.6A, 2.0 General Description Features These N-channel MOSFET are produced using advanced V = 600V DSMagnaChips MOSFET Technology, which provides low on- I = 4.6A @ V = 10V D GSstate resistance, high switching performance and excellent R 2.0 @ V = 10V DS(ON) GSquality. Applications These devices are suitable

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: HM40N15KA | 3N60Z | NTP5863NG | ZVN2106G | AK2N60S | MTH40N06 | 2SK2882

 

 
Back to Top

 


 
.