MDQ16N50GTP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MDQ16N50GTP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 215 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 16.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 34.9 nC
Время нарастания (tr): 88.5 ns
Выходная емкость (Cd): 226 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.35 Ohm
Тип корпуса: TO-247
Аналог (замена) для MDQ16N50GTP
MDQ16N50GTP Datasheet (PDF)
mdq16n50gth mdq16n50gtp.pdf
MDQ16N50G N-Channel MOSFET 500V, 16.5A, 0.35 General Description Features V = 500V DSThese N-channel MOSFET are produced using advanced I = 16.5A @V = 10V D GSMagnaChips MOSFET Technology, which provides low on- R 0.35 @V = 10V DS(ON) GSstate resistance, high switching performance and excellent quality. Applications These devices are suitab
mdq16n50gtp.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor MDQ16N50GTPFEATURESDrain Current : I = 16.5A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.35(Max) @V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand s
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
