Справочник MOSFET. MDQ16N50GTP

 

MDQ16N50GTP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MDQ16N50GTP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 215 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 34.9 nC
   trⓘ - Время нарастания: 88.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 226 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
   Тип корпуса: TO-247

 Аналог (замена) для MDQ16N50GTP

 

 

MDQ16N50GTP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:813K  magnachip
 mdq16n50gth mdq16n50gtp.pdf

MDQ16N50GTP MDQ16N50GTP

MDQ16N50G N-Channel MOSFET 500V, 16.5A, 0.35 General Description Features V = 500V DSThese N-channel MOSFET are produced using advanced I = 16.5A @V = 10V D GSMagnaChips MOSFET Technology, which provides low on- R 0.35 @V = 10V DS(ON) GSstate resistance, high switching performance and excellent quality. Applications These devices are suitab

 ..2. Size:328K  inchange semiconductor
 mdq16n50gtp.pdf

MDQ16N50GTP MDQ16N50GTP

isc N-Channel MOSFET Transistor MDQ16N50GTPFEATURESDrain Current : I = 16.5A@ T =25D CDrain Source Voltage: V = 500V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.35(Max) @V = 10VDS(on) GS100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand s

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRFB5615PBF | PMN40UPE | HYG060N08NS1V | BL25N60-F | 2N7022

 

 
Back to Top