Справочник MOSFET. IRFS620

 

IRFS620 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFS620
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для IRFS620

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS620 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:281K  1
 irfs620 irfs621.pdf pdf_icon

IRFS620

 0.1. Size:211K  1
 irfs620a.pdf pdf_icon

IRFS620

 0.2. Size:881K  1
 irf620b irfs620b.pdf pdf_icon

IRFS620

November 2001IRF620B/IRFS620B200V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 5.0A, 200V, RDS(on) = 0.8 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 12 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 10 pF)This advanced technology has been especially tailored to

 8.1. Size:875K  1
 irfs624b irf624b.pdf pdf_icon

IRFS620

November 2001IRF624B/IRFS624B250V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 4.1A, 250V, RDS(on) = 1.1 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 13.5 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 9.5 pF)This advanced technology has been especially tailored to

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFS540 , IRFS540A , IRFS541 , IRFS542 , IRFS543 , IRFS550A , IRFS610A , IRFS614A , TK10A60D , IRFS620A , IRFS622 , IRFS624 , IRFS624A , IRFS625 , IRFS630 , IRFS630A , IRFS632 .

History: ZXMN2B01F | LSD65R180GT | DH400P06I | PMN34UP | PHP79NQ08LT | HUFA75639P3 | SPA04N60C3

 

 
Back to Top

 


 
.