MDS5652URH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MDS5652URH
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 24.6 ns
Выходная емкость (Cd): 154 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.022 Ohm
Тип корпуса: SOIC-8
Аналог (замена) для MDS5652URH
MDS5652URH Datasheet (PDF)
mds5652urh.pdf
MDS5652 Dual N-Channel Trench MOSFET, 30V, 7.5A, 22m General Description Features The MDS5652 uses advanced MagnaChips MOSFET VDS = 30V Technology, which provides low on-state resistance, high I = 7.5A @V = 10V D GSswitching performance and exellent reliability. RDS(ON)
mds5651urh.pdf
MDS5651Dual N-Channel Trench MOSFET 30V, 7.5A, 26m General Description Features The MDS5651 uses advanced MagnaChips trench MOSFET VDS = 30V Technology to provide high performance in on-state resistance, I = 7.5A @V = 10V D GSswitching performance and reliability RDS(ON)
mds5601urh.pdf
MDS5601 Dual N-channel Trench MOSFET 30V, 12.9A, 10.5mGeneral Description Features The MDS5601 uses advanced MagnaChips MOSFET VDS = 30V Technology, which provides high performance in on-state ID = 12.9A @VGS = 10V resistance, fast switching performance and excellent RDS(ON) quality. MDS5601 is suitable for DC/DC converter and
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
