Справочник MOSFET. IRFS622

 

IRFS622 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFS622
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для IRFS622

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS622 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:211K  1
 irfs620a.pdf pdf_icon

IRFS622

 8.2. Size:875K  1
 irfs624b irf624b.pdf pdf_icon

IRFS622

November 2001IRF624B/IRFS624B250V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 4.1A, 250V, RDS(on) = 1.1 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 13.5 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 9.5 pF)This advanced technology has been especially tailored to

 8.3. Size:281K  1
 irfs620 irfs621.pdf pdf_icon

IRFS622

 8.4. Size:285K  1
 irfs624.pdf pdf_icon

IRFS622

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFS541 , IRFS542 , IRFS543 , IRFS550A , IRFS610A , IRFS614A , IRFS620 , IRFS620A , 4N60 , IRFS624 , IRFS624A , IRFS625 , IRFS630 , IRFS630A , IRFS632 , IRFS634 , IRFS634A .

History: AP2608GY | KI1551DL | IXFH26N55Q | WFF2N60 | HGB039N15M | BSO200N03 | HM6N10R

 

 
Back to Top

 


 
.