IRFS624. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFS624

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для IRFS624

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS624 даташит

 ..1. Size:285K  1
 irfs624.pdf pdf_icon

IRFS624

 ..2. Size:301K  1
 irfs624 irfs625.pdf pdf_icon

IRFS624

 0.1. Size:875K  1
 irfs624b irf624b.pdf pdf_icon

IRFS624

November 2001 IRF624B/IRFS624B 250V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 4.1A, 250V, RDS(on) = 1.1 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 13.5 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 9.5 pF) This advanced technology has been especially tailored to

 0.2. Size:874K  fairchild semi
 irf624b irfs624b.pdf pdf_icon

IRFS624

November 2001 IRF624B/IRFS624B 250V N-Channel MOSFET General Description Features These N-Channel enhancement mode power field effect 4.1A, 250V, RDS(on) = 1.1 @VGS = 10 V transistors are produced using Fairchild s proprietary, Low gate charge ( typical 13.5 nC) planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 9.5 pF) This advanced technology has been especially tailored to

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFS542, IRFS543, IRFS550A, IRFS610A, IRFS614A, IRFS620, IRFS620A, IRFS622, 5N65, IRFS624A, IRFS625, IRFS630, IRFS630A, IRFS632, IRFS634, IRFS634A, IRFS635