Справочник MOSFET. IRFS624

 

IRFS624 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFS624
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 24 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 

 Аналог (замена) для IRFS624

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFS624 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:285K  1
 irfs624.pdf pdf_icon

IRFS624

 ..2. Size:301K  1
 irfs624 irfs625.pdf pdf_icon

IRFS624

 0.1. Size:875K  1
 irfs624b irf624b.pdf pdf_icon

IRFS624

November 2001IRF624B/IRFS624B250V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 4.1A, 250V, RDS(on) = 1.1 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 13.5 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 9.5 pF)This advanced technology has been especially tailored to

 0.2. Size:874K  fairchild semi
 irf624b irfs624b.pdf pdf_icon

IRFS624

November 2001IRF624B/IRFS624B250V N-Channel MOSFETGeneral Description FeaturesThese N-Channel enhancement mode power field effect 4.1A, 250V, RDS(on) = 1.1 @VGS = 10 Vtransistors are produced using Fairchilds proprietary, Low gate charge ( typical 13.5 nC)planar, DMOS technology. Low Crss ( typical 9.5 pF)This advanced technology has been especially tailored to

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFS542 , IRFS543 , IRFS550A , IRFS610A , IRFS614A , IRFS620 , IRFS620A , IRFS622 , 4435 , IRFS624A , IRFS625 , IRFS630 , IRFS630A , IRFS632 , IRFS634 , IRFS634A , IRFS635 .

History: STF32N65M5 | IXTH90P10P | 2SK1206

 

 
Back to Top

 


 
.